SiC的晶格缺陷的形成和对其吸波能力的影响

SiC的晶格缺陷的形成和对其吸波能力的影响

系统的阐述了物质晶格缺陷的种类，分别是面缺陷、线缺陷和点缺陷。并以SiC为例着重介绍了点缺陷的形成的方式，并结合文献通过实验讲解了SiC中的点缺陷对其在微波场中吸波能力的影响。另外介绍了通过何种手段可以分析检测到物质的晶格缺陷，包括XRD晶格常数计算和衍射峰的偏移、XPS价态变化等。最后总结了文献对课题研究的启发。